2N7002-7-F增强型MOSFET

最近更新：2017-10-13 12:32:24

产品描述

描述：

该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），并保持优异的开关性能，使其成为高效率电源管理应用的理想选择。

晶体管极性:N沟道；电流, Id 连续:115mA；漏源电压, Vds:60V；在电阻RDS（上）:13.5ohm电压 @ Rds测量:10V；阈值电压 Vgs:2.5V；功耗 Pd:300mW；晶体管封装类型:SOT-23；针脚数:3引脚；工作温度最高值:150°C

应用：

电机控制

电源管理功能

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