描述：

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性：

最大值 r_DS(on) = 8 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 13 A）

V_GS = 6 V，I_D = 9.5 A时，最大r_DS(on) = 13.5mΩ

先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低r_DS(on)和高效率

MSL1耐用封装设计

100%经过UIL测试

符合RoHS标准

本产品是一般用途，适用于许多不同的应用。