【IS42S16320F-7BLI高速CMOS动态随机存储器】
最近更新：2017-10-12 16:54:51
- 产品品牌 ISSI
- 产品型号 IS42S16320F-7BLI
- 产品简介 512Mb SDRAM是一种高速CMOS，动态随机存储器
产品描述
512Mb SDRAM是一种高速CMOS，动态随机存储器，设计用于3.3V Vdd / Vddq或2.5V Vdd / Vddq存储器系统，具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四组DRAM。
512Mb SDRAM（536,870,912位）包括AUTO REFRESH MODE和省电省电模式。所有信号都在上边缘注册时钟信号CLK。所有输入和输出都兼容LVTTL。
512Mb SDRAM具有以高数据速率同步突发数据的能力，具有自动列地址生成功能，能够在内部存储体之间进行交错以隐藏预充电时间，以及在突发存取期间每个时钟周期随机更改列地址的能力。
在启用自动预置功能的情况下，在脉冲串序列结束时启动的自定时行预充电可用。在访问其他三个银行之一时，预先对一个银行进行预留，这将隐藏预充电周期，并提供无缝，高速，随机访问操作。
SDRAM读和写访问是从选定的位置开始的突发定向的，并以编程的顺序继续编程的位置数。 ACTIVE命令的注册开始访问，然后是READ或WRITE命令。结合寄存的地址位的ACTIVE命令用于选择要访问的存储体和行（BA0，BA1选择存储体; A0-A12选择行）。READ或WRITE命令结合注册的地址位用于选择突发访问的起始列位置。
更多产品
