特点:

（1）1.8 V栅极驱动电压。

（2）低漏源导通电阻RDS（ON）= 13.5mΩ（最大）（@VGS = -2.5V）RDS（ON）= 10 mΩ（最大）（@VGS = -4.5V）

注意：在重载下连续使用（例如应用高温/电流/电压和温度等显着变化）可能导致该产品的可靠性显着降低，如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）在绝对最大值内收视率。

注1：确保通道温度不超过150

注2：脉冲宽度（PW）≤10 ms，职责≤1％

注3：设备安装在FR4板上。 （25.4mm×25.4mm×1.6mm，铜垫：645mm2）

注意：该晶体管对静电放电敏感，应小心操作。

注意：该器件中的MOSFET对静电放电敏感。在处理此设备时，工作台，操作人员，烙铁等物体应防止静电放电。

注意：通道到环境热阻，Rth（ch-a）和漏极功耗PD，根据板材，板面积，板厚度和焊盘面积。使用本设备时，请务必加热耗散充分考虑。