【FM25V02A-GTR】
最近更新：2017-12-07 18:07:01
- 产品品牌 Cypress
- 产品型号 FM25V02A-GTR
- 产品简介 256-Kbit（32K×8）串行（SPI）F-RAM
产品描述
功能说明：
FM25V02A是一款256-Kbit非易失性存储器，先进的铁电过程。 F-RAM是非易失性的执行类似于RAM的读取和写入。它提供可靠的数据保留151年，同时消除复杂性，系统开销和系统级可靠性问题闪存，EEPROM和其他非易失性存储器。与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A执行写入巴士速度的操作。写入延迟不会发生。数据是在每个字节之后立即写入存储器阵列成功转移到设备。下一个总线周期可以无需数据轮询即可开始。除此之外产品提供了相当大的写作耐力非易失性存储器。 FM25V02A能够支持1014个读/写周期，或者多于1亿个写周期比EEPROM。
这些功能使FM25V02A成为非易失性的理想选择内存应用程序需要频繁或快速写入。示例范围从数据记录，写入的次数周期可能是至关重要的，要求苛刻的工业控制的地方串行闪存或EEPROM的写入时间过长会导致数据丢失。FM25V02A为串口用户提供了实质性的好处EEPROM或闪存作为硬件插入式更换。该FM25V02A使用高速SPI总线，从而提高了性能高速写入F-RAM技术的能力。装置包含允许主机访问的只读设备ID确定制造商，产品密度和产品修订。该设备的规格是通过一个保证工业范围-40°C至+85°C。
特性：
256-Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM）逻辑上组织为32K×8
高耐力100兆（1014）读/写
151年的数据保留
NoDelay™写道
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口（SPI）：
高达40MHz的频率
直接硬件替换串行闪存和EEPROM
支持SPI模式0（0，0）和模式3（1,1）
精密的写保护方案：
using使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
Write使用写入禁止指令进行软件保护
1/4用于1/4，1/2或整个阵列的软件块保护
设备ID：
制造商ID和产品ID
低功耗：
在40 MHz的2.5 mA有效电流
150μA待机电流
8-A睡眠模式电流
低电压工作：VDD = 2.0 V至3.6 V
工业温度：-40°C到+85°C
封装：
8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
8引脚双扁平无引脚（DFN）封装
限制有害物质（RoHS）
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